מקלט IR 3162PT850D-A3

מה ההבדל בין הביצועים של פוטודיודות ופוטוטרנזיסטורים?

1. פוטוטרנזיסטור יכול להיחשב כמבנה המשולב של פוטודיודה וטרנזיסטור. המאפיינים שלו הם מאפייני הפלט של פוטודיודה והמאפיינים של טרנזיסטור.
2. ניתן להשתמש בפוטודיודות כמקורות מתח או זרם (כלומר תאים פוטו-וולטאיים) ללא ספק כוח נוסף.
3. יש להפעיל את הפוטו-טרנזיסטור עם ספק כוח חיצוני, כדי שיוכל להפיק זרם גדול בהרבה מהפוטודיודה, כי הוא הוגבר על ידי הטרנזיסטור.

- גודל של 3 מ"מ IR LED דרך חור -

*מארז זה זמין גם עבור נוריות LED אחרות, כגון: LED חורים ירוקים בגודל 5 מ"מ, LED UV, LED 660 ננומטר, LED 940 ננומטר, LED עם חור כחול 5 מ"מ, LED צהוב, LED ענבר וכו' *

- LED IR פועל דרך חור -

*הצבעים בתמונה צולמו על ידי מצלמה, נא לקחת צבע פולט בפועל כסטנדרט.

- פרמטר LED IR דרך חור -

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Collector-Emitter Voltage	VCEO			30	V
Emitter-Collector Voltage	VECO			5	V
Collector Dark Current	ICEO			100	nA	VCE=20V Ee=0mw/cm2
Collector-Emitter Breakdown Voltage	Bvceo	30		100	V	ICBO=100uA Ee=0mw/cm2
Emitter-Collector Breakdown Voltage	Bvceo	6			V	IECO=10uA
Collector-Emitter Saturation Voltage	VCE(sat)			0.4	V	IC=2mA IB=100uA Ee=1mw/cm2
Photocurrent 1	IPCE	30		90	uA	Vce=5V Ee=1mw/cm2 λP=850nm
Photocurrent 2	IPCE	90		270	uA	VCE=5V Ee=1mw/cm2 λP=940nm
Current gain	hFE	270		900	uA	VCE=5V IC=2mA
Wavelenghth of Peak Sensitivity	λP		850		nm
Range of Spectral Bandwidth	λ0.5	400		1100	nm
Response Time-Rise Time	tR		15		us	Vce=5v Ic=1mA RL=1000Ω
Response Time-Fall Time	tF		15		us
Half Sensitivity angle	△λ		±10		deg
Collector-base Capacitance	CCB			8	PF	F=1MHz,VCB=3V

- חיבור חוט זהב -

* על מנת לשמור על כל תוחלת החיים הארוכה של LED, מפעל BestLED משתמש בחוט זהב טהור גבוה לחיבור מעגל פנימי

- אריזת IR LED -

*אנחנו יכולים לארוז את ה-LED הזה עם כל מספר של חבילות ולהדביק או לכופף את פיני ה-LED לפי הדרישה שלך.

- LED אינפרא אדום קשור -

- תהליך ייצור -

- LED IR חוצה חור -